ZXT11N20DFTA, TRANS NPN 20V 2.5A SOT23-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
388 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
339 ֏
от 100 шт. —
295 ֏
от 500 шт. —
280 ֏
3 шт.
на сумму 1 164 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 40 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 20 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 90 mV |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 2.5 A |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 160 MHz |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current: | 2.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 625 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | ZXT11N20 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 823 КБ
Datasheet ZXT11N20DFTA
pdf, 411 КБ
