Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Diodes › MMBT3904FA-7B, TRANS NPN 40V 0.2A 3DFN

MMBT3904FA-7B, TRANS NPN 40V 0.2A 3DFN

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

150 ֏

Кратность заказа 10 шт.

от 100 шт. — 119 ֏

от 500 шт. — 88 ֏

от 5000 шт. — 76 ֏

10 шт. на сумму 1 500 ֏

Номенклатурный номер: 8003463199

Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT 40V NPN SM Trans 435mW 40V Vceo

Технические параметры

Collector-Emitter Breakdown Voltage	40V
Maximum DC Collector Current	200mA
Pd - Power Dissipation	435mW
Transistor Type	NPN
Pd - рассеивание мощности	435 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	30 at 100 mA, 1 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	300 at 10 mA, 1 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.2 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	40 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.3 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	0.2 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	300 MHz
Размер фабричной упаковки	10000
Серия	MMBT3904FA
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	X2-DFN0806-3
Вес, г	1