DMN2065UW-7, MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
119 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
97 ֏
от 500 шт. —
80 ֏
от 3000 шт. —
69 ֏
10 шт.
на сумму 1 190 ֏
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.1 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 140 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 700 mW |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-323 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5.4 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.35mm |
