MMBT8050C, 25V 350mW 100@100mA,1V 600mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
11950 шт., срок 8-10 недель
18 ֏
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
14 ֏
от 3000 шт. —
11 ֏
от 6000 шт. —
9 ֏
Добавить в корзину 100 шт.
на сумму 1 800 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
25V 350mW 100@100mA,1V 600mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 25V |
| Maximum DC Collector Current | 600mA |
| Pd - Power Dissipation | 350mW |
| Transistor Type | NPN |
| Collector Current (Ic) | 1.5A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@800mA, 80mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@100mA, 1V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 132 КБ
Datasheet MMBT8050C
pdf, 132 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
