BCP5616TA, TRANS NPN 80V 1A SOT223-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
97 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
80 ֏
от 500 шт. —
71 ֏
10 шт.
на сумму 970 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 1А, 2Вт, SOT223 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 80V |
Maximum DC Collector Current | 1A |
Pd - Power Dissipation | 2W |
Transistor Type | NPN |
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
PCB changed | 3 |
Package Height | 1.55 |
Mounting | Surface Mount |
Tab | Tab |
Package Width | 3.5 |
Package Length | 6.5 |
Type | NPN |
Product Category | Bipolar Power |
Configuration | Single Dual Collector |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 100 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5@50mA@500mA |
Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
Minimum DC Current Gain | 100@150mA@2V|25@500mA@2V|40@150mA@2V|25@5mA@2V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 150(Min) |
Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Supplier Temperature Grade | Automotive |
Packaging | Tape and Reel |
Automotive | No |
Supplier Package | SOT-223 |
Pin Count | 4 |
Military | No |
Pd - рассеивание мощности | 2 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 at 5 mA at 2 V |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 at 150 mA at 2 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 125 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | BCP56 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Base Product Number | BCP5616 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 2V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 150MHz |
HTSUS | 8541.29.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Power - Max | 2W |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Вес, г | 1 |