FMMTA42TA, TRANS NPN 300V 0.2A SOT23-3
![Фото 1/4 FMMTA42TA, TRANS NPN 300V 0.2A SOT23-3](https://static.chipdip.ru/lib/927/DOC032927082.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763557.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/472/DOC018472444.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/015/DOC034015114.jpg)
88 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
75 ֏
от 500 шт. —
58 ֏
от 3000 шт. —
52 ֏
10 шт.
на сумму 880 ֏
Описание
Описание Транзистор биполярный FMMTA42TA от DIODES INCORPORATED — надежный элемент для современных электронных схем. Этот NPN транзистор выполнен в компактном SMD-корпусе SOT23, обеспечивающем простоту монтажа на печатную плату. С током коллектора в 0,2 А и напряжением коллектор-эмиттер до 300 В, он идеально подходит для работы в высоковольтных устройствах. Мощность устройства составляет 0,33 Вт, что делает его эффективным выбором для различных применений. Используйте FMMTA42TA для надежной и долговечной работы ваших электронных проектов. Код товара FMMTA42TA станет вашим ключом к качественной электронике. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Монтаж | SMD |
Ток коллектора, А | 0.2 |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 300 |
Мощность, Вт | 0.33 |
Корпус | SOT23 |
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO: | 300 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 300 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 200 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 25 |
DC Current Gain hFE Max: | 25 at 1 mA, 10 V |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 50 MHz |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current: | 200 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-23-3 |
Pd - Power Dissipation: | 310 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | FMMTA |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Maximum Collector Base Voltage | 300 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 300 V |
Maximum DC Collector Current | 200 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Frequency | 50 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 330 mW |
Minimum DC Current Gain | 40 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 1 |