MMBT2222AT-7-F, TRANS NPN 40V 0.6A SOT523
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
40 ֏
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
36 ֏
от 500 шт. —
29 ֏
30 шт.
на сумму 1 200 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT 40V 150mW
Технические параметры
Brand | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO | 75 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 40 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 0.6 A |
DC Collector/Base Gain Hfe Min | 75 |
DC Current Gain HFE Max | 375 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Gain Bandwidth Product FT | 300 MHz |
Manufacturer | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current | 0.6 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-523-3 |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Pd - Power Dissipation | 150 mW |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
Series | MMBT2222 |
Subcategory | Transistors |
Transistor Polarity | NPN |
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.75 mm |
Длина | 1.6 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 75 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 375 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.6 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 75 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.6 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | MMBT2222 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-523-3 |
Ширина | 0.8 mm |
Base Product Number | MMBT2222 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 300MHz |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Power - Max | 150mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-523 |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Maximum Collector Base Voltage | 75 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Frequency | 300 MHz |
Maximum Power Dissipation | 150 mW |
Minimum DC Current Gain | 100 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-523(SC-89) |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 176 КБ
Datasheet MMBT2222AT-7-F
pdf, 539 КБ
Datasheet MMBT2222AT-7-F
pdf, 345 КБ