MMBT8050C(1.5A), 25V 350mW 100@100mA,1V 1.5A NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
400 шт., срок 8-10 недель
23 ֏
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 1 150 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 25V |
| Maximum DC Collector Current | 1.5A |
| Pd - Power Dissipation | 350mW |
| Transistor Type | NPN |
| Collector Current (Ic) | 1.5A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@800mA, 80mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@100mA, 1V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Transition Frequency (fT) | 120MHz |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet MMBT8050C(1.5A)
pdf, 208 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
