MMBTA92-7-F, TRANS PNP 300V 0.5A SOT23-3

Фото 1/4 MMBTA92-7-F, TRANS PNP 300V 0.5A SOT23-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
36 ֏
Кратность заказа 100 шт.
от 500 шт.27 ֏
от 1000 шт.22 ֏
от 3000 шт.19 ֏
100 шт. на сумму 3 600 ֏
Номенклатурный номер: 8003492132
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Описание Транзистор: PNP; биполярный; 300В; 0,5А; 300мВт; SOT23 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид PNP

Технические параметры

Collector-Emitter Breakdown Voltage 300V
Maximum DC Collector Current 500mA
Pd - Power Dissipation 300mW
Transistor Type PNP
Pd - рассеивание мощности 300 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 3.05 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 40
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.5 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 300 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 300 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 0.2 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 50 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия MMBTA92
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.4 mm
Maximum Collector Base Voltage -300 V
Maximum Collector Emitter Voltage 300 V
Maximum Emitter Base Voltage -5 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 300 mW
Minimum DC Current Gain 40
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet MMBTA92-7-F
pdf, 350 КБ
Datasheet MMBTA92-7-F
pdf, 308 КБ