FZT600TA, TRANS NPN DARL 140V 2A SOT223-3
![Фото 1/2 FZT600TA, TRANS NPN DARL 140V 2A SOT223-3](https://static.chipdip.ru/lib/466/DOC021466579.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/153/DOC003153042.jpg)
484 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
388 ֏
от 100 шт. —
291 ֏
от 500 шт. —
262 ֏
2 шт.
на сумму 968 ֏
Описание
Darlington Transistors, Diodes Inc.
Технические параметры
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1,2 В |
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Количество элементов на ИС | 1 |
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1.9 V |
Длина | 6.55мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Максимальное напряжение коллектор-база | 160 В |
Максимальный запирающий ток коллектора | 0.00001mA |
Производитель | DiodesZetex |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 140 V |
Максимальный непрерывный ток коллектора | 2 A |
Тип корпуса | SOT-223 |
Тип монтажа | Surface Mount |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Ширина | 3.55мм |
Тип транзистора | NPN |
Высота | 1.65мм |
Число контактов | 3 + Tab |
Максимальное напряжение эмиттер-база | 10 V |
Размеры | 6.55 x 3.55 x 1.65мм |
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 1000 |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 1.9 V |
Maximum Collector Base Voltage | 160 V |
Maximum Collector Cut-off Current | 0.00001mA |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 1.2 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 140 V |
Maximum Continuous Collector Current | 2 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 10 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum DC Current Gain | 1000 |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-223 |
Pin Count | 3+Tab |
Transistor Type | NPN |
Width | 3.55mm |
Вес, г | 0.19 |