SI2312BDS-T1-GE3, 20V 3.9A 750mW 31m ё@4.5V,5A 850mV@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
352 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
285 ֏
от 150 шт. —
254 ֏
от 500 шт. —
193 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 1 760 ֏
Посмотреть аналоги14
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 3.9A |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 750mW |
Rds On - Drain-Source Resistance | 31mО© @ 5A,4.5V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 850mV @ 250uA |
Id - непрерывный ток утечки | 3.9 A |
Pd - рассеивание мощности | 0.75 W |
Qg - заряд затвора | 7.5 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 31 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 450 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 30 ns |
Время спада | 10 ns |
Высота | 1.45 mm |
Длина | 2.9 mm |
Другие названия товара № | SI2312BDS-GE3 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | TrenchFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 30 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | SI2 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 35 ns |
Типичное время задержки при включении | 9 ns |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.6 mm |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 3.9 |
Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25°C (A) | 5 |
Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.2 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 31@4.5V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
Maximum Gate Resistance (Ohm) | 3.3 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±8 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 0.85 |
Maximum IDSS (uA) | 1 |
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W) | 166 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 8 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 1250 |
Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W) | 1.25 |
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 15 |
Minimum Gate Resistance (Ohm) | 1.1 |
Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 0.45 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | NRND |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Process Technology | TrenchFET |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | SOT |
Supplier Package | SOT-23 |
Typical Diode Forward Voltage (V) | 0.8 |
Typical Fall Time (ns) | 10 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 7.5@4.5V |
Typical Gate Plateau Voltage (V) | 1.4 |
Typical Gate to Drain Charge (nC) | 1.2 |
Typical Gate to Source Charge (nC) | 1.4 |
Typical Output Capacitance (pF) | 100 |
Typical Reverse Recovery Time (ns) | 13 |
Typical Rise Time (ns) | 30 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 35 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 9 |
Вес, г | 1 |