FZT751TA, TRANS PNP 60V 3A SOT223-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
225 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
181 ֏
от 500 шт. —
163 ֏
от 1000 шт. —
130 ֏
10 шт.
на сумму 2 250 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Описание Транзистор биполярный FZT751TA от производителя DIODES INCORPORATED представляет собой высокопроизводительный компонент для современной электроники. С монтажом типа SMD, данный элемент легко интегрируется в печатные платы, обеспечивая надежное соединение. Транзистор типа PNP поддерживает ток коллектора до 3 А и напряжение коллектор-эмиттер до 60 В, что делает его подходящим для широкого спектра применений. Мощность устройства составляет 2 Вт, что обеспечивает эффективную работу в различных электрических цепях. Компактный корпус SOT223 выделяется простотой монтажа и экономией пространства на плате. Воспользуйтесь надежным и качественным компонентом FZT751TA для создания эффективных и долговечных электронных решений. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | PNP |
Монтаж | SMD |
Ток коллектора, А | 3 |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 60 |
Мощность, Вт | 2 |
Корпус | SOT223 |
Технические параметры
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 60V |
Maximum DC Collector Current | 3A |
Pd - Power Dissipation | 2W |
Transistor Type | PNP |
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,6 В |
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Максимальная рабочая частота | 140 MHz |
Количество элементов на ИС | 1 |
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1.25 V |
Длина | 6.7мм |
Максимальное напряжение коллектор-база | 80 V |
Transistor Configuration | Одинарный |
Производитель | DiodesZetex |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 60 В |
Тип корпуса | SOT-223 |
Максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
Тип монтажа | Surface Mount |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Ширина | 3.7мм |
Максимальный пост. ток коллектора | 3 A |
Тип транзистора | PNP |
Высота | 1.65мм |
Число контактов | 3 + Tab |
Размеры | 1.65 x 6.7 x 3.7мм |
Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 40 |
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 450 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | -3 A |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 140 MHz |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current: | 3 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-223-4 |
Pd - Power Dissipation: | 2 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | FZT751 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | PNP |
Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | -60 V |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Frequency | 140 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 2 W |
Minimum DC Current Gain | 100 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-223(SC-73) |
Pin Count | 3+Tab |
Вес, г | 0.85 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 531 КБ
Datasheet FZT751TA
pdf, 272 КБ
Datasheet FZT751
pdf, 577 КБ