L8050QLT1G, 25V 225mW 800mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
84050 шт., срок 8-10 недель
14 ֏
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
9 ֏
от 3000 шт. —
8 ֏
от 6000 шт. —
7 ֏
100 шт.
на сумму 1 400 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003533080
Бренд: Leshan Radio Co
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 25V |
| Maximum DC Collector Current | 800mA |
| Pd - Power Dissipation | 225mW |
| Transistor Type | NPN |
| Collector Current (Ic) | 800mA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
| Power Dissipation (Pd) | 225mW |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
l8050qlt1g
pdf, 70 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
