DMMT5551-7-F, TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26
![Фото 1/2 DMMT5551-7-F, TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26](https://static.chipdip.ru/lib/843/DOC043843324.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/161/DOC004161240.jpg)
212 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
168 ֏
от 500 шт. —
128 ֏
от 3000 шт. —
114 ֏
10 шт.
на сумму 2 120 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Описание Транзистор NPN x2, биполярный, 160В, 200мА, 300мВт, SOT26 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 160V |
Maximum DC Collector Current | 200mA |
Pd - Power Dissipation | 300mW |
Transistor Type | 2 NPNпј€Doubleпј‰Pairing |
Automotive | No |
Configuration | Dual |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1@1mA@10mA|1@5mA@50mA |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 180 |
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 50 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.15@1mA@10mA|0.2@5mA@50mA |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 160 |
Maximum DC Collector Current (A) | 0.2 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 300 |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 300 |
Minimum DC Current Gain | 80@1mA@5V|80@10mA@5V|30@50mA@5V |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 6 |
Pin Count | 6 |
PPAP | No |
Product Category | Bipolar Small Signal |
Standard Package Name | SOT |
Supplier Package | SOT-26 |
Type | NPN |
Вес, г | 0.008 |