DMMT5551-7-F, TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26

Фото 1/2 DMMT5551-7-F, TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
212 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт.168 ֏
от 500 шт.128 ֏
от 3000 шт.114 ֏
10 шт. на сумму 2 120 ֏
Номенклатурный номер: 8003545319
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Описание Транзистор NPN x2, биполярный, 160В, 200мА, 300мВт, SOT26 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

Collector-Emitter Breakdown Voltage 160V
Maximum DC Collector Current 200mA
Pd - Power Dissipation 300mW
Transistor Type 2 NPNпј€Doubleпј‰Pairing
Automotive No
Configuration Dual
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Gull-wing
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 1@1mA@10mA|1@5mA@50mA
Maximum Collector Base Voltage (V) 180
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 50
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.15@1mA@10mA|0.2@5mA@50mA
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 160
Maximum DC Collector Current (A) 0.2
Maximum Emitter Base Voltage (V) 6
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 300
Maximum Transition Frequency (MHz) 300
Minimum DC Current Gain 80@1mA@5V|80@10mA@5V|30@50mA@5V
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 6
Pin Count 6
PPAP No
Product Category Bipolar Small Signal
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-26
Type NPN
Вес, г 0.008

Техническая документация

Datasheet
pdf, 114 КБ
Datasheet
pdf, 75 КБ