DMMT3906W-7-F, TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT363
![Фото 1/3 DMMT3906W-7-F, TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT363](https://static.chipdip.ru/lib/639/DOC021639400.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC006515892.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC016769276.jpg)
53 ֏
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
40 ֏
от 500 шт. —
35 ֏
от 3000 шт. —
31 ֏
20 шт.
на сумму 1 060 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT -40V 225mW MATCHED
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 200 mW (1/5 W) |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 2.2 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Dual |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.2 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.2 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | DMMT3906 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-363-6 |
Ширина | 1.35 mm |
Maximum Collector Base Voltage | -40 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
Maximum DC Collector Current | 200 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
Maximum Operating Frequency | 250 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 200 mW |
Minimum DC Current Gain | 100 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | SOT-363(SC-88) |
Pin Count | 6 |
Transistor Configuration | Isolated |
Transistor Type | PNP |
Collector Current (Ic) | 200mA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@50mA, 5mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 1V |
Power Dissipation (Pd) | 200mW |
Transition Frequency (fT) | 250MHz |
Вес, г | 0.008 |