BC856AS-7, TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
44 ֏
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
36 ֏
от 500 шт. —
31 ֏
от 3000 шт. —
28 ֏
20 шт.
на сумму 880 ֏
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 65 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 250 mV |
| Configuration: | Dual |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 125 |
| DC Current Gain hFE Max: | 250 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | BC856A |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 585 КБ
