SI1012R-T1-GE3, 20V 500mA 150mW 700m@4.5V,600mA 900mV@250uA 1PCSNChannel SC-75A MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
152 ֏
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 150 шт. —
147 ֏
от 500 шт. —
141 ֏
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 1 520 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 0,35А, 0,08Вт, SC75A Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 600 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 175 mW |
| Qg - заряд затвора | 750 pC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 700 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 450 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 5 ns |
| Время спада | 11 ns |
| Высота | 0.8 mm |
| Длина | 1.575 mm |
| Другие названия товара № | SI1012R-GE3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SI1 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | SC-75A-3 |
| Ширина | 0.76 mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet SI1012R-T1-GE3
pdf, 168 КБ
