BC856BW-7-F, TRANS PNP 65V 0.1A SOT323

Фото 1/5 BC856BW-7-F, TRANS PNP 65V 0.1A SOT323
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
31 ֏
Кратность заказа 100 шт.
от 500 шт.27 ֏
от 1000 шт.22 ֏
от 3000 шт.19 ֏
100 шт. на сумму 3 100 ֏
Номенклатурный номер: 8003594999
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 65В, 0,1А, 200мВт, SOT323 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид PNP

Технические параметры

Collector-Emitter Breakdown Voltage 65V
Maximum DC Collector Current 100mA
Pd - Power Dissipation 200mW
Transistor Type PNP
Pd - рассеивание мощности 200 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 2.2 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 220 at -2 mA, - 5 V
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 200 mA
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 65 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 650 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 200 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия BC856B
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-323-3
Ширина 1.35 mm
Maximum Collector Base Voltage -80 V
Maximum Collector Emitter Voltage -65 V
Maximum Emitter Base Voltage -5 V
Maximum Operating Frequency 200 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 200 mW
Minimum DC Current Gain 220
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-323(SC-70)
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 203 КБ
Datasheet
pdf, 209 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 112 КБ