BC856BW-7-F, TRANS PNP 65V 0.1A SOT323
![Фото 1/5 BC856BW-7-F, TRANS PNP 65V 0.1A SOT323](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757521.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/530/DOC006530038.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC016769276.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/765/DOC028765246.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/765/DOC028765250.jpg)
31 ֏
Кратность заказа 100 шт.
от 500 шт. —
27 ֏
от 1000 шт. —
22 ֏
от 3000 шт. —
19 ֏
100 шт.
на сумму 3 100 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 65В, 0,1А, 200мВт, SOT323 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | PNP |
Технические параметры
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 65V |
Maximum DC Collector Current | 100mA |
Pd - Power Dissipation | 200mW |
Transistor Type | PNP |
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 2.2 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 220 at -2 mA, - 5 V |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 650 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | BC856B |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-323-3 |
Ширина | 1.35 mm |
Maximum Collector Base Voltage | -80 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | -65 V |
Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
Maximum Operating Frequency | 200 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 200 mW |
Minimum DC Current Gain | 220 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-323(SC-70) |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 1 |