MMBTSC3356S, 12V 200mW 125@20mA,10V 100mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
10950 шт., срок 8-10 недель
27 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
23 ֏
от 2500 шт. —
18 ֏
от 3000 шт. —
17 ֏
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 1 350 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
12V 200mW 125@20mA,10V 100mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 12V |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Pd - Power Dissipation | 200mW |
| Transistor Type | NPN |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 12V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | - |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 125@20mA, 10V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transition Frequency (fT) | 7GHz |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet MMBTSC3356S
pdf, 207 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
