DTC143ZCAT116, 80@10mA,5V 1 NPN - Pre Biased 200mW 100mA 50V 500nA SOT-23 Digital Transistors ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2920 шт., срок 8-10 недель
84 ֏
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
71 ֏
от 150 шт. —
62 ֏
от 500 шт. —
54 ֏
15 шт.
на сумму 1 260 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - Pre-Biased
80@10mA,5V 1 NPN - Pre Biased 200mW 100mA 50V 500nA SOT-23 Digital Transistors ROHS
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Pd - Power Dissipation | 200mW |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@250uA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 80@10mA, 5V |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transition Frequency (fT) | 250MHz |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1142 КБ
Datasheet DTC143ZCAT116
pdf, 1110 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
