ZXTN04120HFFTA, TRANS NPN DARL 120V 1A SOT23F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
580 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
484 ֏
от 100 шт. —
396 ֏
от 500 шт. —
370 ֏
2 шт.
на сумму 1 160 ֏
Описание
Darlington Transistors, Diodes Inc.
Технические параметры
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1,5 В |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1,7 В |
| Длина | 3мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 140 V |
| Максимальный запирающий ток коллектора | 0.01mA |
| Производитель | DiodesZetex |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 120 V |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 1 A |
| Тип корпуса | SOT-23F |
| Максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Ширина | 1.7мм |
| Тип транзистора | NPN |
| Высота | 1мм |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 3 x 1.7 x 1мм |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 10 V |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 1000 |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 140 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 120 V |
| Configuration: | Single |
| DC Current Gain hFE Max: | 3000 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 10 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Collector Cut-off Current: | 100 nA |
| Maximum DC Collector Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23F |
| Product Category: | Darlington Transistors |
| Product Type: | Darlington Transistors |
| Series: | ZXTN04 |
| Subcategory: | Transistors |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 1.7 V |
| Maximum Collector Base Voltage | 140 V |
| Maximum Collector Cut-off Current | 0.01mA |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 120 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 1 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 10 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Minimum DC Current Gain | 1000 |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOT-23F |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Type | NPN |
| Width | 1.7mm |
| Collector Current (Ic) | 1A |
| Collector cut-off current (Icbo@Vcb) | 10uA |
| Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.5V@2A, 5mA |
| Collector-emitter voltage (Vceo) | 120V |
| DC current gain (hFE@Vce,Ic) | 3000@5V, 1A |
| Power Dissipation (Pd) | 1.5W |
| Transition frequency (fT) | 120MHz |
| Вес, г | 0.5 |
