AO3402A, 30V 4A 55m ё@10V,4A 350mW 1.4V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11100 шт., срок 8-10 недель
27 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
22 ֏
от 2500 шт. —
18 ֏
от 3000 шт. —
16 ֏
50 шт.
на сумму 1 350 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
30V 4A 55mR@10V, 4A 350mW 1.4V@250?A N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS V(BR)DSS=30V ID=4A аналог:AO3402A, UMWAO3402A
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 52 мОм/4А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.35 | |
Крутизна характеристики, S | 8 | |
Корпус | SOT-23-3 | |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 4A | |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 350mW | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 55mО© @ 4A,10V | |
Transistor Polarity | N Channel | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 1.4V @ 250uA | |
кол-во в упаковке | 3000 | |
Continuous Drain Current (Id) | 4A | |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 55mΩ@10V, 4A | |
Drain Source Voltage (Vdss) | 30V | |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.4V@250uA | |
Power Dissipation (Pd) | 350mW | |
Type | 1PCSNChannel | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet AO3402A
pdf, 1089 КБ
Datasheet UMW AO3402A
pdf, 1101 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг