AO3402A, 30V 4A 55m ё@10V,4A 350mW 1.4V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS

AO3402A, 30V 4A 55m ё@10V,4A 350mW 1.4V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
11100 шт., срок 8-10 недель
27 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт.22 ֏
от 2500 шт.18 ֏
от 3000 шт.16 ֏
50 шт. на сумму 1 350 ֏
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8003614624

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
30V 4A 55mR@10V, 4A 350mW 1.4V@250?A N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS V(BR)DSS=30V ID=4A аналог:AO3402A, UMWAO3402A

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 52 мОм/4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.35
Крутизна характеристики, S 8
Корпус SOT-23-3
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 4A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 350mW
Rds On - Drain-Source Resistance 55mО© @ 4A,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30V
Vgs - Gate-Source Voltage 1.4V @ 250uA
кол-во в упаковке 3000
Continuous Drain Current (Id) 4A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 55mΩ@10V, 4A
Drain Source Voltage (Vdss) 30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 1.4V@250uA
Power Dissipation (Pd) 350mW
Type 1PCSNChannel
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet AO3402A
pdf, 1089 КБ
Datasheet UMW AO3402A
pdf, 1101 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 18 сентября1 бесплатно
HayPost 22 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг