IRFP3206PBF, MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 510 ֏
1 шт.
на сумму 2 510 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 200А, 280Вт, TO247AC Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 200 A |
| Pd - рассеивание мощности | 280 W |
| Qg - заряд затвора | 120 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.4 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 20.7 mm |
| Длина | 15.87 mm |
| Другие названия товара № | SP001578056 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single Dual Drain |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 400 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Ширина | 5.31 mm |
| Base Product Number | IRFP3206 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6540pF @ 50V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power Dissipation (Max) | 280W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 75A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | HEXFETВ® -> |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150ВµA |
| Крутизна характеристики S,А/В | 210 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 3 |
| Температура, С | -55…+175 |
| FET Feature | - |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 200 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 3 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 280 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247AC |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Width | 5.31mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRFP3206PBF
pdf, 305 КБ
Datasheet IRFP3206PBF
pdf, 297 КБ
Datasheet IRFP3206PBF
pdf, 297 КБ
