ZXMS6004FFQTA, IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT23F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
540 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
409 ֏
от 100 шт. —
320 ֏
от 500 шт. —
268 ֏
2 шт.
на сумму 1 080 ֏
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 15 us |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.3 A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | SOT-23F-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.5 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 500 mOhms |
| Rise Time: | 10 us |
| Series: | ZXMS6004 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | IntelliFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 45 us |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 us |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 700 mV |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.35Ом |
| Power Dissipation | 830мВт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | IntelliFET |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 2А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Рассеиваемая Мощность | 830мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.35Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23F |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
