Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › IRFPE40PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой ...

IRFPE40PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 3,4А, 150Вт, TO247AC

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3 340 ֏

от 5 шт. — 2 940 ֏

от 25 шт. — 2 270 ֏

от 100 шт. — 1 900 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 340 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8003632149

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 3,4А, 150Вт, TO247AC Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	5.4 A
Pd - рассеивание мощности	150 W
Qg - заряд затвора	130 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	2 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	800 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	500
Серия	IRFPE
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
Base Product Number	IRFPE40 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	5.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	130nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-247-3
Power Dissipation (Max)	150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2Ohm @ 3.2A, 10V
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-247-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
FET Feature	-
Manufacturer	Vishay Siliconix
Packaging	Tube
Part Status	Active
Series	-
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	5.4 A
Maximum Drain Source Resistance	2 Ω
Maximum Drain Source Voltage	800 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	150 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-247AC
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	130 nC @ 10 V
Width	5.31mm
Drain Source On State Resistance	2Ом
Power Dissipation	150Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	800В
Непрерывный Ток Стока	5.4А
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Вес, г	4.62