IXTH96N25T, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 96А, 625Вт, TO247-3, 158нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 700 ֏
от 3 шт. —
7 000 ֏
от 10 шт. —
5 800 ֏
от 30 шт. —
4 880 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 700 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 96А, 625Вт, TO247-3, 158нс Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Drain current | 96A |
| Drain-source voltage | 250V |
| Features of semiconductor devices | thrench gate power mosfet |
| Gate charge | 114nC |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 29mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 625W |
| Reverse recovery time | 158ns |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 6.08 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 171 КБ
