IKW15N120T2FKSA1, Транзистор: IGBT, 1,2кВ, 30А, 235Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 000 ֏
от 3 шт. —
6 400 ֏
от 10 шт. —
5 300 ֏
от 30 шт. —
4 460 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 000 ֏
Описание
Описание Транзистор: IGBT, 1,2кВ, 30А, 235Вт, TO247-3 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Energy Rating | 2.8mJ |
| Gate Capacitance | 1000pF |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 30 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 235 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 4.083 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IKW15N120T2FKSA1
pdf, 533 КБ
