SEMIX71GD12E4S, Модуль: IGBT, транзистор/транзистор, 3-фазный мост IGBT, Ic: 75А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт., срок 7 недель
132 000 ֏
от 3 шт. —
114 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 132 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete semiconductors modules\IGBT modules\Semiconductors
Описание Модуль: IGBT, транзистор/транзистор, 3-фазный мост IGBT, Ic: 75А Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Application | for UPS, frequency changer, Inverter |
| Case | SEMIX®13 |
| Collector current | 75A |
| Electrical mounting | Press-Fit, screw |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Manufacturer | SEMIKRON DANFOSS |
| Max. off-state voltage | 1.2kV |
| Mechanical mounting | screw |
| Pulsed collector current | 225A |
| Semiconductor structure | transistor/transistor |
| Topology | IGBT three-phase bridge, NTC thermistor |
| Type of module | IGBT |
| Вес, г | 350 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 527 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 21 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 25 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
