FMMT591TA, TRANS PNP 60V 1A SOT23-3
![Фото 1/4 FMMT591TA, TRANS PNP 60V 1A SOT23-3](https://static.chipdip.ru/lib/891/DOC023891160.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/152/DOC003152814.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/458/DOC004458815.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC016769276.jpg)
119 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
97 ֏
от 500 шт. —
80 ֏
от 3000 шт. —
63 ֏
10 шт.
на сумму 1 190 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Транзисторы общего назначения PNP, до 1,5 А, Diodes Inc.
Технические параметры
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 60V |
Maximum DC Collector Current | 1A |
Pd - Power Dissipation | 500mW |
Transistor Type | PNP |
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,5 В |
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Максимальная рабочая частота | 150 MHz |
Количество элементов на ИС | 1 |
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1,1 В |
Длина | 3.04мм |
Максимальное напряжение коллектор-база | 40 В |
Transistor Configuration | Одинарный |
Производитель | DiodesZetex |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 40 В |
Тип корпуса | SOT-23 |
Максимальное рассеяние мощности | 500 мВт |
Тип монтажа | Surface Mount |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Ширина | 1.4мм |
Максимальный пост. ток коллектора | 1 A |
Тип транзистора | PNP |
Высота | 1.02мм |
Число контактов | 3 |
Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
Размеры | 1.02 x 3.04 x 1.4мм |
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 30 |
Maximum Collector Base Voltage | 40 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Frequency | 150 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 500 mW |
Minimum DC Current Gain | 100 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Вес, г | 1 |