IDM02G120C5XTMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 160 ֏
от 2 шт. —
2 670 ֏
от 4 шт. —
2 360 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 160 ֏
Описание
Электроэлемент
SIC SCHOTTKY DIODE, 1.2KV, 14A, TO-252; Product Range:thinQ Series; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:1.2kV; Continuous Forward Current If:14A; Total Capacitive Charge Qc:14nC; Diode Case St
Технические параметры
Automotive | No |
Maximum Continuous Forward Current - (A) | 14 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 98000 |
Military | No |
Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
Packaging | Tape and Reel |
Peak Forward Voltage - (V) | 1.65@2A |
Peak Non-Repetitive Surge Current - (A) | 37 |
Peak Reverse Current - (uA) | 18 |
Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) | 1200 |
Pin Count | 3 |
Standard Package Name | TO-252 |
Supplier Package | DPAK |
Average Forward Current | 14А |
Repetitive Peak Reverse Voltage | 1.2кВ |
Количество Выводов | 2 Вывода |
Линейка Продукции | thinQ |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Полный Емкостной Заряд Qc | 14нКл |
Стиль Корпуса Диода | TO-252 |
Diode Technology | SiC Schottky |
Diode Type | SiC Schottky |
Maximum Continuous Forward Current | 2A |
Mounting Type | SMD |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252-2) |
Peak Reverse Repetitive Voltage | 1200V |
Rectifier Type | Schottky Diode |
Вес, г | 0.454 |