BSC0503NSIATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 810 ֏
от 2 шт. —
1 370 ֏
от 5 шт. —
1 090 ֏
от 10 шт. —
980 ֏
1 шт.
на сумму 1 810 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой N-MOSFET BSC0503NSIATMA1 от производителя INFINEON выделяется своими выдающимися характеристиками для монтажа SMD. С током стока в 100 А, напряжением сток-исток 30 В, мощностью 50 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,0019 Ом, этот полупроводниковый компонент обеспечивает высокую эффективность и надежность в самых требовательных областях применения. Компактный корпус PG-TDSON-8 позволяет легко интегрировать его в различные электронные схемы. Используя BSC0503NSIATMA1 в вашем проекте, вы получаете гарантию качества от INFINEON, ведущего производителя в области электронных компонентов. Этот транзистор идеально подходит для разработки энергоэффективных решений. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 100 |
| Напряжение сток-исток, В | 30 |
| Мощность, Вт | 50 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0019 |
| Корпус | PG-TDSON-8 |
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 22 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 3@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | 20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 2 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2500 |
| Military | No |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Process Technology | OptiMOS 5 |
| Supplier Package | TDSON EP |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 7.1@4.5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 960@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 22A;88A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 3mΩ@30A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.3nF@15V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W;36W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 20nC@10V |
| Type | null |
| Maximum Continuous Drain Current | 88 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | PG-TDSON-8 |
| Вес, г | 0.1155 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1561 КБ
Документация
pdf, 3088 КБ
