IRFD9220
![Фото 1/5 IRFD9220](https://static.chipdip.ru/lib/737/DOC043737731.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/176/DOC004176712.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/438/DOC004438108.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/597/DOC006597905.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/907/DOC042907712.jpg)
1 370 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
1 100 ֏
от 10 шт. —
960 ֏
от 95 шт. —
850 ֏
2 шт.
на сумму 2 740 ֏
Описание
Категория продукта
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -200В, -0,36А, 1Вт, DIP4 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 560 mA |
Pd - рассеивание мощности | 1 W |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.5 Ohms |
RoHS | Подробности |
Vds - напряжение пробоя затвор-исток | 20 V |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | -200 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 27 ns |
Время спада | 27 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Конфигурация | Single Dual Drain |
Максимальная рабочая температура | +150 C |
Минимальная рабочая температура | -55 C |
Полярность транзистора | P-Channel |
Производитель | Vishay |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Типичное время задержки выключения | 7.3 ns |
Торговая марка | Vishay/Siliconix |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | HexDIP-4 |
Qg - заряд затвора | 15 nC |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Количество каналов | 1 Channel |
Подкатегория | MOSFETs |
Серия | IRFD |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Configuration | Single Dual Drain |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Through Hole |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.56 |
Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 1500 10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 200 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 1000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Part Status | Active |
PCB changed | 4 |
Pin Count | 4 |
PPAP | No |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | DIP |
Supplier Package | HVMDIP |
Typical Fall Time (ns) | 19 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 15(Max) |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 15(Max)10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 340 25V |
Typical Rise Time (ns) | 27 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 7.3 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8.8 |
Power Dissipation | 1.3Вт |
Вес, г | 0.7 |
Техническая документация
Datasheet IRFD9220PBF
pdf, 826 КБ
Datasheet IRFD9220PBF
pdf, 1678 КБ
Datasheet IRFD9220PBF
pdf, 833 КБ
Документация
pdf, 1677 КБ