2SC3326-B,LF(T, 20V 150mW 350@400mA,2V 300mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
42230 шт., срок 8-10 недель
120 ֏
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
10 шт.
на сумму 1 200 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
20V 150mW 350@400mA,2V 300mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 20V |
| Maximum DC Collector Current | 300mA |
| Pd - Power Dissipation | 150mW |
| Transistor Type | NPN |
| Collector Current (Ic) | 300mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 20V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 42mV@30mA, 3mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 350@400mA, 2V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Transition Frequency (fT) | 30MHz |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet 2SC3326-B,LF(T
pdf, 228 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
