2SA2058(TE85L,F),
100 шт., срок 8-10 недель
169 ֏
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 845 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
10V 500mW 200@200mA,2V 1.5A PNP - Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 10V |
| Maximum DC Collector Current | 1.5A |
| Pd - Power Dissipation | 500mW |
| Transistor Type | PNP |
| Collector Current (Ic) | 1.5A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 10V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 190mV@600mA, 20mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@200mA, 2V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Transition Frequency (fT) | - |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet 2SA2058(TE85L,F)
pdf, 150 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
