1SS226(TE85L,F), 80V 150mW Dual 900mV@100mA 1.6ns 100mA S-Mini Switching Diode ROHS
![1SS226(TE85L,F), 80V 150mW Dual 900mV@100mA 1.6ns 100mA S-Mini Switching Diode ROHS](https://static.chipdip.ru/lib/016/DOC021016026.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
57400 шт., срок 8-10 недель
40 ֏
Кратность заказа 50 шт.
50 шт.
на сумму 2 000 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Diodes & Rectifiers\Diodes - General Purpose, Power, Switching
Технические параметры
If - Forward Current | 100mA |
Peak Reverse Voltage | 80V |
Trr - Reverse Recovery Time | 4ns |
Vf - Forward Voltage | 1.2V @ 100mA |
Diode Configuration | Series |
Diode Technology | Silicon Junction |
Maximum Forward Voltage Drop | 1.2V |
Maximum Operating Temperature | +125 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | SOT-346(SC-59) |
Pin Count | 3 |
Width | 1.5mm |
Forward Voltage (Vf@If) | 900mV@100mA |
Rectified Current | 100mA |
Reverse Leakage Current | 500nA@80V |
Reverse Recovery Time (trr) | 1.6ns |
Reverse Voltage (Vr) | 80V |
Вес, г | 0.026 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 219 КБ
Datasheet 1SS226(TE85L,F)
pdf, 203 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг