CSD17308Q3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 47А 2.7Вт
![Фото 1/3 CSD17308Q3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 47А 2.7Вт](https://static.chipdip.ru/lib/164/DOC044164166.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/508/DOC004508308.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/567/DOC006567531.jpg)
269 ֏
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
8 шт.
на сумму 2 152 ֏
Посмотреть аналоги4
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 47А 2.7Вт
Технические параметры
Корпус | SON8 | |
Id - непрерывный ток утечки | 50 A | |
Pd - рассеивание мощности | 28 W | |
Qg - заряд затвора | 3.9 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 10.3 mOhms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 900 mV | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Время нарастания | 5.7 ns | |
Время спада | 2.3 ns | |
Высота | 1 mm | |
Длина | 3.3 mm | |
Канальный режим | Enhancement | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Коммерческое обозначение | NexFET | |
Конфигурация | Single | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 2500 | |
Серия | CSD17308Q3 | |
Средства разработки | BQ500211AEVM-210 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET | |
Типичное время задержки выключения | 9.9 ns | |
Типичное время задержки при включении | 4.5 ns | |
Торговая марка | Texas Instruments | |
Упаковка / блок | VSON-CLIP-8 | |
Ширина | 3.3 mm | |
RoHS Compliant | Yes | |
Вес, г | 0.068 |
Техническая документация
Datasheet CSD17308Q3
pdf, 520 КБ
Документация
pdf, 406 КБ