BGA7L1N6E6327XTSA1

BGA7L1N6E6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 240 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.970 ֏
от 10 шт.880 ֏
2 шт. на сумму 2 480 ֏
Номенклатурный номер: 8003853574

Описание

Электроэлемент
LNA, 13.3DB, 728MHZ-960MHZ, TSNP-6; Frequency Min:728MHz; Frequency Max:960MHz; Gain:13.3dB; Noise Figure Typ:0.9dB; RF IC Case Style:TSNP; No. of Pins:6Pins; Supply Voltage Min:1.5V; Supply Voltage Max:3.3V; Operating Temperature Min:-40°C; Operating Temperature Max:85°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; RoHS Phthalates Compliant:Yes; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)

Технические параметры

Amplifier Type Low Noise
Brand Infineon Technologies
Factory Pack Quantity 15000
Frequency Range 728 MHz to 960 MHz
Gain 13.3 dB
Input Return Loss 25 dB
Isolation dB 25 dB
Manufacturer Infineon
Maximum Operating Temperature +85 C
Minimum Operating Temperature -40 C
Mounting Style SMD/SMT
NF - Noise Figure 0.9 dB
Operating Frequency 728 MHz to 960 MHz
Operating Supply Current 4.5 mA
Operating Supply Voltage 3.3 V
P1dB - Compression Point -2 dBm
Package / Case TSNP-6
Packaging Reel
Part # Aliases 7L1N6 BGA E6327 SP001109134
Pd - Power Dissipation 60 mW
Product Category RF Amplifier
RoHS Details
Technology SiGe
Type LNA for LTE
Количество Выводов 6вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 85 C
Максимальная Частота 960МГц
Максимальное Напряжение Питания 3.3В
Минимальная Рабочая Температура -40 C
Минимальная Частота 728МГц
Минимальное Напряжение Питания 1.5В
Стиль Корпуса Радиочастотной Микросхемы TSNP
Типичное Значение Коэффициента Шума 0.9дБ
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Усиление 13.3дБ
Вес, г 0.008

Техническая документация