MMBT3906LP-7B, TRANS PNP 40V 0.2A 3DFN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
71 ֏
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
58 ֏
20 шт.
на сумму 1 420 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 200 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Серия | MMBT39 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | X1-DFN1006-3 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 362 КБ
