FZT751QTA, TRANS PNP 60V 3A SOT223-3

Фото 1/2 FZT751QTA, TRANS PNP 60V 3A SOT223-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
207 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт.181 ֏
от 500 шт.172 ֏
от 1000 шт.154 ֏
10 шт. на сумму 2 070 ֏
Номенклатурный номер: 8003892854
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 3 W
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 100
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 300
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 3 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
Непрерывный коллекторный ток 3 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 140 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-223-3
Base Product Number FZT751 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 500mA, 2V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 140MHz
HTSUS 8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Power - Max 3W
REACH Status REACH Affected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-223
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 300mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Вес, г 112

Техническая документация

Datasheet FZT751QTA
pdf, 573 КБ
Datasheet FZT751QTA
pdf, 566 КБ