MMIX2F60N50P3, Транзистор: N-MOSFET x2, Polar3™, полевой, 500В, 30А, Idm: 150А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
50 700 ֏
от 3 шт. —
40 100 ֏
от 10 шт. —
35 600 ֏
от 20 шт. —
31 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 50 700 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\Multi channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET x2, Polar3™, полевой, 500В, 30А, Idm: 150А Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | SMPD |
| Drain current | 30A |
| Drain-source voltage | 500V |
| Gate charge | 96nC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 0.12Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 320W |
| Pulsed drain current | 150A |
| Reverse recovery time | 250ns |
| Technology | HiPerFET™, Polar3™ |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Вес, г | 7.51 |
