IXFK200N10P, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 200A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 540 ֏
от 2 шт. —
4 360 ֏
от 3 шт. —
4 300 ֏
от 6 шт. —
4 170 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 540 ֏
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 200A
Технические параметры
| Корпус | TO-264AA(IXFK) | |
| Brand: | IXYS | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 25 | |
| Fall Time: | 90 ns | |
| Forward Transconductance - Min: | 60 S | |
| Id - Continuous Drain Current: | 200 A | |
| Manufacturer: | IXYS | |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | Through Hole | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package / Case: | TO-264-3 | |
| Packaging: | Tube | |
| Pd - Power Dissipation: | 830 W | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge: | 235 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.5 mOhms | |
| Rise Time: | 35 ns | |
| Series: | IXFK200N10 | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Tradename: | HiPerFET | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | |
| Type: | Polar HiPerFET Power MOSFET | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 150 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V | |
| Вес, г | 13.04 |
Техническая документация
Datasheet IXFX200N10P
pdf, 209 КБ
