DSEI2X31-10B, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1кВ; If: 2x30А; SOT227B
![Фото 1/2 DSEI2X31-10B, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1кВ; If: 2x30А; SOT227B](https://static.chipdip.ru/lib/872/DOC025872390.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/243/DOC023243654.jpg)
36 500 ֏
от 3 шт. —
29 800 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 36 500 ֏
Технические параметры
Diode Configuration | Isolated |
Diode Technology | Silicon Junction |
Diode Type | Rectifier |
Maximum Continuous Forward Current | 30A |
Maximum Forward Voltage Drop | 2.4V |
Mounting Type | Panel Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | SOT-227B |
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 210A |
Peak Reverse Recovery Time | 50ns |
Peak Reverse Repetitive Voltage | 1000V |
Pin Count | 4 |
Rectifier Type | Switching |
Вес, г | 35.97 |