IPB017N08N5ATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 000 ֏
от 2 шт. —
7 400 ֏
от 5 шт. —
6 900 ֏
от 10 шт. —
6 600 ֏
1 шт.
на сумму 8 000 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 80V, 120A, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:120A, Drain Source Voltage Vds:80V, On Resistance Rds(on):0.0015ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 177 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0017 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.8V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Series | OptiMOS™ 5 |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 1.55 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 980 КБ
