IXYH40N90C3D1, Транзистор: IGBT, GenX3™, 900В, 40А, 500Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 500 ֏
от 3 шт. —
10 000 ֏
от 10 шт. —
8 100 ֏
от 30 шт. —
7 100 ֏
1 шт.
на сумму 12 500 ֏
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THT
Описание Транзистор: IGBT, GenX3™, 900В, 40А, 500Вт, TO247-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 500 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 21.46 mm |
Диапазон рабочих температур | 55 C to + 150 C |
Длина | 16.26 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | XPT, GenX3 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 900 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.2 V |
Непрерывный коллекторный ток | 90 A |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 90 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 180 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Серия | IXYH40N90 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247AD-3 |
Ширина | 5.3 mm |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet IXYH40N90C3D1
pdf, 183 КБ