IPB407N30NATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 900 ֏
от 2 шт. —
11 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 11 900 ֏
Описание
Электроэлемент
Power MOSFET, N Channel, 300 V, 44 A, 0.036 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 44 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 40.7@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 300 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | 20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 4 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 300000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Process Technology | OptiMOS |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 65 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 65@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 5400@100V |
| Drain Source On State Resistance | 0.036Ом |
| Power Dissipation | 300Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | OptiMOS |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 300В |
| Непрерывный Ток Стока | 44А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 300Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.036Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Maximum Continuous Drain Current | 44 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 300 V |
| Mounting Type | SMD |
| Package Type | PG-TO 263-3 |
| Вес, г | 0.68 |
Техническая документация
Datasheet IPB407N30NATMA1
pdf, 1154 КБ
