NTE3322, Транзистор: IGBT, 900В, 60А, 170Вт, TO3P
![Фото 1/2 NTE3322, Транзистор: IGBT, 900В, 60А, 170Вт, TO3P](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758086.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/390/DOC038390566.jpg)
4 шт., срок 8 недель
38 900 ֏
от 3 шт. —
31 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 38 900 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор: IGBT, 900В, 60А, 170Вт, TO3P Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Case | TO3P |
Collector current | 60A |
Collector-emitter voltage | 900V |
Gate-emitter voltage | ±25V |
Manufacturer | NTE Electronics |
Mounting | THT |
Power dissipation | 170W |
Pulsed collector current | 120A |
Turn-off time | 0.6µs |
Turn-on time | 460ns |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 11.65 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 68 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 23 августа1 | бесплатно |
HayPost | 27 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг