BSL316CH6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
660 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
396 ֏
от 10 шт. —
317 ֏
от 100 шт. —
236 ֏
2 шт.
на сумму 1 320 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой BSL316CH6327XTSA1 от производителя INFINEON выделяется своей универсальностью и эффективностью. Этот N+P-MOSFET предназначен для монтажа SMD и имеет корпус типа TSOP6|PG-TSOP-6, что обеспечивает его легкую интеграцию в различные электронные устройства. С током стока 1,4 А, напряжением сток-исток 30 В и мощностью 0,5 Вт, этот транзистор способен обеспечить высокую производительность при сопротивлении в открытом состоянии всего 0,191 Ом. Его область применения широка, начиная от повседневной электроники и заканчивая более сложными электронными схемами. Используя BSL316CH6327XTSA1 в вашем проекте, вы получаете надежное и долговечное решение для эффективного управления электронными процессами. Код товара, BSL316CH6327XTSA1, гарантирует быстрый поиск и удобство при заказе. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N+P-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 1.4 |
| Напряжение сток-исток, В | 30 |
| Мощность, Вт | 0.5 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.191 |
| Корпус | TSOP6, PG-TSOP-6 |
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 1 ns, 7.5 ns |
| Forward Transconductance - Min | 2.3 S, 2.7 S |
| Height | 1.1 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 1.4 A, -1.5 A |
| Length | 3 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 2 Channel |
| Package / Case | TSOP-6 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | BSL316C H6327 SP001101010 |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 600 pC, -2.4 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 119 mOhms, 113 mOhms |
| Rise Time | 2.3 ns, 6.5 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel, P-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 5.8 ns, 14.3 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 3.4 ns, 5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V, -30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/-20 V, +/-20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V, -2 V |
| Width | 1.5 mm |
| Channel Type | N, P |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.4 A, 1.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 270 mΩ, 280 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | TSOP-6 |
| Pin Count | 6 |
| Series | OptiMOS |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.6 nC @ 5 V, 2.4 nC @ 5 V |
| Вес, г | 0.0148 |
