IMX8T108
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. с центрального склада, срок 2-3 недели
44 ֏
1 шт.
на сумму 44 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
Описание Транзистор: PNP
Технические параметры
| Корпус | SC74 | |
| кол-во в упаковке | 3000 | |
| Brand | ROHM Semiconductor | |
| Collector- Base Voltage VCBO | 120 V | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 120 V | |
| Configuration | Dual | |
| Continuous Collector Current | 50 mA | |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 180 | |
| DC Current Gain HFE Max | 820 | |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V | |
| Factory Pack Quantity | 3000 | |
| Gain Bandwidth Product FT | 140 MHz | |
| Height | 1.1 mm | |
| Length | 2.9 mm | |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor | |
| Maximum DC Collector Current | 0.05 A | |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | |
| Mounting Style | SMD/SMT | |
| Packaging | Cut Tape or Reel | |
| Part # Aliases | IMX8 | |
| Pd - Power Dissipation | 300 mW | |
| Product Category | Bipolar Transistors - BJT | |
| Product Type | BJTs - Bipolar Transistors | |
| Series | IMX8 | |
| Subcategory | Transistors | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Width | 1.6 mm | |
| Collector Current (Ic) | 50mA | |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 120V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@10mA, 1mA | |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 180@2mA, 6V | |
| Operating Temperature | - | |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW | |
| Transistor Type | 2 NPN | |
| Transition Frequency (fT) | 140MHz | |
| Вес, г | 0.032 |
Техническая документация
ROHM Semicon IMX8T108
pdf, 581 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 5 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 8 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
