IXTY18P10T, Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -18А, 83Вт, ТО252
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 000 ֏
от 5 шт. —
3 520 ֏
от 20 шт. —
2 640 ֏
от 70 шт. —
2 240 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 000 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\P channel transistors
Описание Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -18А, 83Вт, ТО252 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO252 |
| Drain current | -18A |
| Drain-source voltage | -100V |
| Gate charge | 39nC |
| Gate-source voltage | ±15V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 0.12Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 83W |
| Reverse recovery time | 62ns |
| Technology | TrenchP™ |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Вес, г | 0.32 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 279 КБ
