FF200R17KE4, Модуль: IGBT, транзистор/транзистор, полумост IGBT, Urmax: 1,7кВ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
237 000 ֏
от 3 шт. —
204 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 237 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete semiconductors modules\IGBT modules\Semiconductors
Описание Модуль: IGBT, транзистор/транзистор, полумост IGBT, Urmax: 1,7кВ Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Case | AG-62MM-1 |
| Collector current | 200A |
| Electrical mounting | screw |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Max. off-state voltage | 1.7kV |
| Mechanical mounting | screw |
| Power dissipation | 1.25kW |
| Pulsed collector current | 400A |
| Semiconductor structure | transistor/transistor |
| Topology | IGBT half-bridge |
| Type of module | IGBT |
| Вес, г | 340 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 583 КБ
